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中国科研团队在硅基量子点激光器领域取得了重大突破，成功实现了可在标准 CMOS 工艺中集成的硅基激光器。

长期以来，硅基光子集成面临一个核心难题：硅本身不能直接发光。传统方案需要在硅芯片上外延生长 III-V 族化合物半导体材料作为激光器，但这种方法成本高、良率低。

量子点激光器通过在硅衬底上自组装纳米级的 InAs/GaAs 量子点结构来实现发光。量子点的三维量子限域效应使得其在硅基上的发光效率接近传统 III-V 族激光器。

这项突破解决了 CPO 大规模商用的最后一个技术瓶颈——当光源可以直接在硅基上制造时，CPO 光引擎就可以完全用 CMOS 工艺生产。

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光源集成到硅基是 CPO 大规模商用的前提。